▲ 지난 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습.(사진제공=삼성전자)

[시민일보 = 여영준 기자] 삼성전자가 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022(Samsung Tech Day 2022)'를 개최하고, 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다.

2017년 시작된 '삼성 테크 데이'는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.

올해 '삼성 테크 데이'는 글로벌 IT 기업과 애널리스트, 미디어 등과 삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장, 시스템LSI사업부장 박용인 사장, 미주총괄 정재헌 부사장을 포함해 800여 명이 참석한 가운데 진행됐다.

삼성전자는 이날 오전, 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 밝혔다.

삼성전자는 SoC(System on Chip), 이미지센서, 모뎀, DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC, Power Management IC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다.

삼성전자는 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션(Platform Solution)'으로 고객 니즈에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이라고 전했다.

시스템LSI사업부장 박용인 사장은 "사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것"이라며, "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 밝혔다.

아울러 삼성전자는 4차 산업혁명 시대에 초지능화(Hyper-Intelligence), 초연결성(Hyper-Connectivity), 초데이터(Hyper-Data)가 요구된다고 전망하고, 이를 위해 인간의 기능에 근접하는 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품을 선보였다.

차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토(Exynos Auto) V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD(Quantum Dot) OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀(ISOCELL) HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등도 공개됐다.

'엑시노스 2200'은 최첨단 4나노 EUV 공정, 최신 모바일 기술, 차세대 GPU, NPU가 적용된 제품이다. 또한 0.56㎛ 크기 픽셀의 아이소셀 HP3는 픽셀 크기를 기존 제품 대비 12% 줄여 모바일기기에 탑재할 카메라 모듈 크기를 최대 20%까지 축소하는 것이 가능해졌다는 게 삼성전자의 설명이다.

지문인증IC는 삼성전자가 업계 최초로 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문 센서, 보안 프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품이다.

아울러 이날 오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대/9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하고, 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환(Digital Transformation)을 체감하고 있다"라며, "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화(Co-evolution)하며 발전해 나갈 것"이라고 밝혔다.

또한 삼성전자는 데이터 인텔리전스(Data Intelligence)를 발전시킬 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM(Processing-in-Memory), AXDIMM(Acceleration DIMM), CXL(Compute Express Link) 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.

이외에도 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다.

또, 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다.

한편, 삼성전자는 고객들에게 차세대 메모리 솔루션 개발·평가를 위한 최적화된 환경을 제공하는 '삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)'를 오픈하고, 레드햇, 구글 클라우드 등과 협력하며 올해 4분기 한국을 시작으로, 미국 등 다른 지역으로 SMRC를 순차적으로 확장해 나갈 계획이다. 

 

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