삼성전자는 22일 메모리 반도체를 생산하는 16라인이 가동한데 이어 세계 반도체 업계 최초로 20나노급 D램 양산을 시작했다고 밝혔다.

이를 위해 삼성전자는 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 22일 열었다.

행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 나카가와 유타카 소니 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석했다.

지난해 5월 착공해 1년3개월 만에 가동에 들어간 16라인은 라인면적(FAB, 반도체 제조공장) 약 6만평에 12층 건물로 세계 최대 규모다. 낸드를 주력으로 양산한다.

올 2월 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월 시범 가동에 들어가 8월 양산 체제를 갖췄다. 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산을 시작했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 되어 갈수록 떨어지는 반도체 시장에서 경쟁력을 제고시킬 수 있게 됐다.

이 날 세계 최초로 양산을 시작한 20나노급 2GB D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 같은 세계 최고 성능을 내면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.